Defect diffusion during annealing of low-energy ion-implanted silicon

  1. Bedrossian, P.J.
  2. Caturla, M.-J.
  3. Diaz de la Rubia, T.
Actas:
Materials Research Society Symposium - Proceedings

ISSN: 0272-9172

Año de publicación: 1996

Volumen: 438

Páginas: 715-720

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1557/PROC-438-715 GOOGLE SCHOLAR
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