Defect diffusion during annealing of low-energy ion-implanted silicon
- Bedrossian, P.J.
- Caturla, M.-J.
- Diaz de la Rubia, T.
ISSN: 0272-9172
Datum der Publikation: 1996
Ausgabe: 438
Seiten: 715-720
Art: Konferenz-Beitrag
ISSN: 0272-9172
Datum der Publikation: 1996
Ausgabe: 438
Seiten: 715-720
Art: Konferenz-Beitrag