Mechanism of boron diffusion in silicon: An Ab initio and kinetic monte carlo study

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Revista:
Physical Review Letters

ISSN: 1079-7114,  0031-9007

Año de publicación: 1999

Volumen: 83

Número: 21

Páginas: 4341-4344

Tipo: Artículo

DOI: 10.1103/PHYSREVLETT.83.4341 GOOGLE SCHOLAR

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