Mechanism of boron diffusion in silicon: An Ab initio and kinetic monte carlo study

  1. Sadigh, B.
  2. Lenosky, T.J.
  3. Theiss, S.K.
  4. Caturla, M.-J.
  5. Diaz de La Rubia, T.
  6. Foad, M.A.
Zeitschrift:
Physical Review Letters

ISSN: 1079-7114,  0031-9007

Datum der Publikation: 1999

Ausgabe: 83

Nummer: 21

Seiten: 4341-4344

Art: Artikel

DOI: 10.1103/PHYSREVLETT.83.4341 GOOGLE SCHOLAR

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