Mechanism of boron diffusion in silicon: An Ab initio and kinetic monte carlo study

  1. Sadigh, B.
  2. Lenosky, T.J.
  3. Theiss, S.K.
  4. Caturla, M.-J.
  5. Diaz de La Rubia, T.
  6. Foad, M.A.
Revista:
Physical Review Letters

ISSN: 1079-7114,  0031-9007

Any de publicació: 1999

Volum: 83

Número: 21

Pàgines: 4341-4344

Tipus: Article

DOI: 10.1103/PHYSREVLETT.83.4341 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus