Atomic scale models of ion implantation and dopant diffusion in silicon
- Theiss, S.K.
- Caturla, M.J.
- Johnson, M.D.
- Zhu, J.
- Lenosky, T.
- Sadigh, B.
- De La Diaz Rubia, T.
ISSN: 0040-6090
Ano de publicación: 2000
Volume: 365
Número: 2
Páxinas: 219-230
Tipo: Artigo