Atomic scale models of ion implantation and dopant diffusion in silicon

  1. Theiss, S.K.
  2. Caturla, M.J.
  3. Johnson, M.D.
  4. Zhu, J.
  5. Lenosky, T.
  6. Sadigh, B.
  7. De La Diaz Rubia, T.
Revista:
Thin Solid Films

ISSN: 0040-6090

Any de publicació: 2000

Volum: 365

Número: 2

Pàgines: 219-230

Tipus: Article

DOI: 10.1016/S0040-6090(00)00757-4 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus