Emergence of Topological Edge States in Oxidized α-In2Se3Nanosheets: Implications for Field-Effect Transistors

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Revista:
ACS Applied Nano Materials

ISSN: 2574-0970

Año de publicación: 2021

Volumen: 4

Número: 8

Páginas: 8154-8161

Tipo: Artículo

DOI: 10.1021/ACSANM.1C01394 GOOGLE SCHOLAR
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