Emergence of Topological Edge States in Oxidized α-In2Se3Nanosheets: Implications for Field-Effect Transistors

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Zeitschrift:
ACS Applied Nano Materials

ISSN: 2574-0970

Datum der Publikation: 2021

Ausgabe: 4

Nummer: 8

Seiten: 8154-8161

Art: Artikel

DOI: 10.1021/ACSANM.1C01394 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus