Emergence of Topological Edge States in Oxidized α-In2Se3Nanosheets: Implications for Field-Effect Transistors

  1. Procopio, E.F.
  2. N Batista, N.
  3. L De Souza, F.A.
  4. Paz, W.S.
  5. Palacios, J.J.
  6. Scopel, W.L.
Revista:
ACS Applied Nano Materials

ISSN: 2574-0970

Any de publicació: 2021

Volum: 4

Número: 8

Pàgines: 8154-8161

Tipus: Article

DOI: 10.1021/ACSANM.1C01394 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus