Emergence of Topological Edge States in Oxidized α-In2Se3Nanosheets: Implications for Field-Effect Transistors

  1. Procopio, E.F.
  2. N Batista, N.
  3. L De Souza, F.A.
  4. Paz, W.S.
  5. Palacios, J.J.
  6. Scopel, W.L.
Aldizkaria:
ACS Applied Nano Materials

ISSN: 2574-0970

Argitalpen urtea: 2021

Alea: 4

Zenbakia: 8

Orrialdeak: 8154-8161

Mota: Artikulua

DOI: 10.1021/ACSANM.1C01394 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus