Effect of ramp rate and annealing temperature on boron transient diffusion in implanted silicon: Kinetic Monte Carlo simulations

  1. Caturla, M.J.
  2. Foad, M.
  3. Diaz de la Rubia, T.
Actes de conférence:
Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology

ISBN: 078034538X

Année de publication: 1999

Volumen: 2

Pages: 1018-1021

Type: Communication dans un congrès