Effect of ramp rate and annealing temperature on boron transient diffusion in implanted silicon: Kinetic Monte Carlo simulations
- Caturla, M.J.
- Foad, M.
- Diaz de la Rubia, T.
Actes:
Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology
ISBN: 078034538X
Any de publicació: 1999
Volum: 2
Pàgines: 1018-1021
Tipus: Aportació congrés