Effect of ramp rate and annealing temperature on boron transient diffusion in implanted silicon: Kinetic Monte Carlo simulations
- Caturla, M.J.
- Foad, M.
- Diaz de la Rubia, T.
Konferenzberichte:
Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology
ISBN: 078034538X
Datum der Publikation: 1999
Ausgabe: 2
Seiten: 1018-1021
Art: Konferenz-Beitrag