First-principles-based predictive simulations of B diffusion and activation in ion implanted Si

  1. Theiss, Silva K.
  2. Caturla, Maria-Jose
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  4. Sadigh, Babak
  5. Diaz de la Rubia, Tomas
  6. Giles, Martin D.
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Actas:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD

Año de publicación: 2000

Páginas: 18-22

Tipo: Artículo

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Fuente de los datos: Scopus