First-principles-based predictive simulations of B diffusion and activation in ion implanted Si

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Libro:
2000 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES

ISBN: 0-7803-6279-9

Año de publicación: 2000

Páginas: 18-22

Congreso: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/SISPAD.2000.871196 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: WoS