Ion beam induced recrystallization of amorphous silicon: A molecular dynamics study

  1. Marqués, L.A.
  2. Caturla, M.-J.
  3. Díaz De La Rubia, T.
  4. Gilmer, G.H.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 1996

Volum: 80

Número: 11

Pàgines: 6160-6169

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.363690 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus