Influence of gate geometry in integrated MOS varactors on accumulation mode for RF

  1. Amselem, E.
  2. González, B.
  3. García, J.
  4. Aldea, I.
  5. Marrero, M.
  6. Iturri, A.G.
  7. Del Pino, J.
  8. Khemchandani, S.L.
  9. Hernández, A.
Actas:
2007 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings

ISBN: 9781424408689

Año de publicación: 2007

Páginas: 68-71

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/SCED.2007.383997 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible