Niveles de impureza hidrogenoides y sub-bandas electricas bidimensionales en el monoseleniuro de indio de tipo n

Resumen

EN ESTE TRABAJO SE HA LLEVADO A CABO, POR PRIMERA VEZ, UN ESTUDIO DETALLADO DE LAS TRANSICIONES ELECTRONICAS ASOCIADAS A IMPUREZAS HIDROGENOIDES EN EL INSE DE TIPO N, MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE FOURIER EN EL INFRARROJO LEJANO. SE HAN IDENTIFICADO LAS TRANSICIONES 1S-2P, 1S-3P Y 1S-2PO ASOCIADAS A INDIO INTERSTICIAL Y A ESTAÑO SUSTITUCIONAL; LAS DOS PRIMERAS PARA IMPUREZAS DE SILICIO Y SOLO LA PRIMERA PARA CLORO. LAS ENERGIAS DE IONIZACION SON 17.6, 18.8, 18.1 Y 19 MEV RESPECTIVAMENTE. SE HA ELABORADO UN NUEVO MODELO TRIDIMENSIONAL QUE INCLUYE LA DISPERSION PORFONONES OPTICOS POLARES DE 27.3 MEV. LA NUEVA CONSTANTE DE ACOPLAMIENTO ELECTRONFONON HOMOPOLAR ES DE 0.028, LA MAS PEQUEÑA EN LA LITERATURA DEL INSE. SE HA DESARROLLADO UN MODELO CUANTITATIVO BIDIMENSIONAL BASADO EN LA EXISTENCIA DE ZONAS MUY ESTRECHAS DEL POLITIPO EPSILON DEL INSE, SEPARADAS POR BARRERAS DE POTENCIAL DEL INSE-GAMA, EN CUYA INTERFASE SE PRODUCE LA LOCALIZACION DE ELECTRONES EN SUB-BANDAS ELECTRICAS BIDIMENSIONALES. ESTE MODELO NOS HA PERMITIDO DESCRIBIR ESTAS SUB-BANDAS, Y DETERMINAR LAS MOVILIDADES DE LOS ELECTRONES BIDIMENSIONALES Y SU INFLUENCIA SOBRE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE EN EL INSE-N.