Efectos resonantes de la dispersión Raman en semiconductores

Resumen

En esta memoria se investigan teóricamente diversos efectos de resonancia en la dispersión de luz en semiconductores. Se ha especial énfasis en la descripción más adecuada para cada caso de las excitaciones electrónicas que actúan de mediadoras en el proceso de dispersión. En primer lugar se desarrolla un tratamiento de la dispersión Raman resonante por dos fonones ópticos, incluyendo excitones de Wannier como estados intermedios. Los resultados obtenidos permiten interpretar los perfiles de resonancia medidos en valor absoluto en diversos semiconductores III-V y II-VI. A continuación se elabora un modelo excitonico de la dispersión hiper-Raman valido para frecuencias de excitación alrededor de una transición óptica directa permitida. Los cálculos realizados son compatibles con los escasos resultados experimentales existentes y permiten predecir la aparición de estructura adicional en el perfil de resonancia, para energías por encima del gap. Finalmente se estudia la influencia de un campo eléctrico externo sobre la intensidad Raman. Mediante los resultados obtenidos se explican medidas realizadas recientemente en muestras de arseniuro de galio.